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國家存儲器基地在武漢光谷正式開工建設(shè)

發(fā)布時間:2016-04-01 來源:網(wǎng)易科技


  國家存儲器基地28日在武漢光谷正式開工建設(shè)。據(jù)悉,基地建設(shè)包括芯片制造、產(chǎn)業(yè)鏈配套等,將在5年內(nèi)投資240億美元(約1600億人民幣),預(yù)計到2020年形成月產(chǎn)30萬片的生產(chǎn)規(guī)模。

 

  存儲器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片。2015年,發(fā)展存儲器上升為國家戰(zhàn)略。2006年,湖北省、武漢市投資100億元在武漢光谷建設(shè)了武漢新芯12英寸晶圓制造項目。經(jīng)過10年的打造,成為我國重要的集成電路產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)之一。
 
  集成電路是我國最大宗的單一進(jìn)口產(chǎn)品,而存儲器則是最大宗集成電路產(chǎn)品。華中科技大學(xué)超大規(guī)模集成電路與系統(tǒng)研究中心主任鄒雪城教授介紹,2013年,我國進(jìn)口的集成電路產(chǎn)品的1/3就是存儲器,總金額達(dá)717億美元。
 

  當(dāng)前全球存儲器行業(yè)正處于發(fā)展的轉(zhuǎn)折期,傳統(tǒng)芯片制造工藝接近物理極限,新型存儲器技術(shù)距離大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化還有5—10年時間。武漢市委常委、東湖高新區(qū)管委會黨工委書記胡立山說,通過立體堆疊Flash工藝開發(fā)來提高芯片集成度正成國際大公司的主攻方向,武漢新芯的提前布局為中國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展實現(xiàn)“彎道超車”提供難得歷史性機(jī)遇。
 
  據(jù)介紹,這一存儲器基地項目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口,集存儲器產(chǎn)品設(shè)計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體,集合已經(jīng)在光谷地區(qū)形成規(guī)模的顯示產(chǎn)業(yè)(天馬、華星光電)、智能終端產(chǎn)業(yè)(華為、聯(lián)想、富士康),將打造萬億級的芯片—顯示—智能終端全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系,使武漢光谷成為國內(nèi)乃至全球最密集的電子信息產(chǎn)業(yè)基地。
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